一种通过湿法剥离GaN基外延层和蓝宝石衬底来制备垂直结构发光二极管的方法技术资料下载

技术编号:7155669

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本发明涉及一种垂直结构发光二极管的制备方法,具体而言,涉及。背景技术发光二极管是一种将电能转化为光能的发光器件,是目前最有前景的新一代光源。发光二极管一般利用通过直接带隙半导体的本征跃迁发光,具有很高的光电转换效率, 即很高的内量子效应。虽然近年氮化镓基发光二极管的发光效率得到很大程度的提高,不过与完全替代传统光源的要求还相距很远。目前,量子效率、电流分布均勻性和器件散热能力已经成为制约发光二极管性能进一步提高的主要技术瓶颈。半导体发光二极管由于几何机构的...
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