技术编号：7155723
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作，特别涉及一种。 背景技术以绝缘体上硅(Silicon On hsulator，SOI)为衬底的集成电路具有低压低功耗， 高速度，高集成度的特点，是半导体技术向纳米级发展的主流工艺。双极型晶体管是模拟集成电路中非常重要的器件单元，基于绝缘体上硅工艺的双极型晶体管需要使用双沟槽隔离 (Dual-STI)结构，其需要特别的制作方法。现有的形成双沟槽隔离结构的方法参考附图1， 1A, IB 至附图 5，5A，5B。参考图1，1A，1B，其中，...
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