技术编号:7156166
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,具体来说,涉及一种半导体器件及其形成方法。背景技术理论和经验研究已经证实,当将应力施加到晶体管的沟道中时,沟道区的半导体晶格产生应变,晶体管的载流子迁移率会得以提高或降低;然而,还已知,电子和空穴对相同类型的应变具有不同的响应。例如,在电流流动的纵向上施加压应力从而导致沟道区晶格压应变以对提高空穴迁移率有利,但是相应的降低了电子迁移率。在纵向上施加张应 力从而导致沟道区晶格张应变以对提高电子迁移率有利,但是相应的降低了空穴迁移率。随着器件...
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