技术编号:7156277
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路制造工艺,尤其是。背景技术近年来,随着无线通讯技术的快速发展,对高性能器件和电路的需求也大大增加。SiGe-HBT (锗硅异质结双极晶体管)不但具有Si器件的低成本、高集成度,而且具有GaAs器件的高频率特性,正在被广泛应用于无线通讯、移动通讯设备中。对于SiGe-HBT,由于其异质发射结和基区中的漂移电场(在SiGe基区中掺入Ge的分布不均匀所致),就容许基区高掺杂,并且可大大缩短基区渡越时间,所以使得器件的截止频率和最高振荡频率...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。