技术编号:7156883
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件的制作方法,尤其涉及,以及使用所述方法制作的半导体器件。背景技术随着小型化系统集成度的提高,金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸急剧减小,器件的高集成度和超薄的栅极氧化层使得器件能够提供更好的性能,但由于器件沟道的缩短和栅极氧化层的变薄,制造的MOS器件将会带来一系列可靠性的问题。热载流子效应是MOS器件的一个重要的失效机理,随着MOS器件尺寸的日益缩小,器件的热载流子注入效应越来越严重。以PMOS器件为例,沟道中的空穴,在漏源之间高...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。