技术编号:7157403
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种MOS器件,具体涉及一种横向扩散金属氧化物功率MOS器件。 背景技术横向扩散金属氧化物功率MOS器件(LDMOS);随着半导体行业的迅猛发展,以大功率半导体器件为代表的电力电子技术迅速发展,应用领域不断扩大,如交流电机的控制,打印机驱动电路。在现今各种功率器件中,LDMOS具有工作电压高,工艺相对简单,因此LDMOS 具有广阔的发展前景。在LDMOS器件设计中,击穿电压和导通电阻一直都是人们设计此类器件时所关注的主要目标,外延层的厚度、掺杂浓...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。