技术编号：7157911
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容一般地涉及非易失性存储器(NVM)，尤其涉及图形化NVM的栅极叠层。 背景技术NVM位单元的栅极叠层通常包括两个导电材料层，并且这些导电层之一还被用来形成逻辑电路或其它电路。本发明目的之一是不使用任何非必要的掩膜步骤；越少越好。 另一个考虑是，蚀刻在其选择性方面不同，并且尤其是对于栅极叠层，所希望的是其具有几乎垂直的侧壁。具有最好的选择性的蚀刻剂可能并不是用于获得垂直侧壁的最好蚀刻剂。 对于某些蚀刻，终点检测是非常重要的。这能够由于选择性问题而产...
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