技术编号:7158227
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明概念涉及半导体器件及形成半导体器件上的图案的方法,更具体而言,涉及包括设置在高密度区中的具有超细宽度和空间的亚分辨率极限图案的半导体器件、以及形成亚分辨率极限掩模图案的方法。背景技术超大规模集成(ULSI)半导体器件的制造可涉及形成具有线宽和位于线之间的空间(可称为间距)的精细图案,精细图案可超过光刻工艺的分辨率极限。因此,开发一种在光刻工艺的分辨率极限之下的精细图案的形成方法是有益的,这些亚分辨率图案可用于形成具有更高密度和更高操作速度的半导体器件...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。