技术编号：7158651
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明于此公开的实施例涉及一种半导体器件及一种制造半导体器件的方法。 背景技术随着半导体器件的小型化与高集成化，因沟道杂质的统计波动(statistical fluctuation)而引起的晶体管的阈值电压的波动变得非常显著。阈值电压是决定晶体管性能的重要参数之一，为了制造高性能及高可靠性的半导体器件，降低因杂质的统计波动而引起的阈值电压的波动是很重要的。作为降低因统计波动而引起的阈值电压波动的一种技术，在具有陡峭的(ste印) 杂质浓度分布的高掺杂沟道杂...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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