技术编号:7158652
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明此处讨论的实施例涉及一种。 背景技术随着半导体器件的小尺寸化和高度集成化,由沟道杂质的统计学波动 (statistical fluctuation)所引起的晶体管阈值电压的波动也渐趋明显。阈值电压是确定晶体管性能的重要参数之一;并且,为了制造高性能和高可靠性的半导体器件,减小由杂质的统计学波动而引起的阈值电压波动是很重要的。作为一种减小由上述统计学波动所引起的阈值电压波动的技术,提出了如下技术,即在具有急变型(ste印)杂质浓度分布的高掺杂沟道杂质层...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。