技术编号:7158886
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于晶体管,且尤其关于利用场板的晶体管。 背景技术高电子迁移率晶体管(HEMT)是通用类型的固态晶体管,其由诸如硅(Si)或砷化镓(GaAs)的半导体材料规则地制成。Si的劣势在于其具有低电子迁移率(600-1450 cm2/ V-s),此产生高内电阻。此电阻可使基于Si的HEMT的高效能增益劣化。[CRC出版社,The Electrical Engineering Handbook,第二版,Dorf,第 994 页,(1997 年)]。基于 GaA...
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