技术编号:7159267
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,尤其涉及一种具有沟槽的。背景技术功率半导体组件主要用于电源管理的部分,例如应用于切换式电源供应器、计算器中心或周边电源管理IC、背光板电源供应器以及马达控制等等用途,其种类包含有绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)与金氧半场效应晶体管 (metal-oxi de-semi conductor field-effect transistor, M0SFET)等组件。由于功率半导体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。