技术编号:7159278
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。下面的描述涉及一种半导体装置和制造该半导体装置的方法,更具体地,涉及一种在元件隔离区(无源区)中形成有具有浅沟槽深度和深沟槽深度的多深度沟槽 (multi-depth trench)的半导体装置以及制造该半导体装置的方法。背景技术一般来说,沟槽隔离(trench isolation)是一种用于通过在元件隔离区(无源区)中形成沟槽(trench)并将作为绝缘材料的介电材料填充在所述沟槽中以使半导体装置的多个有源区电分开的技术。沟槽隔离方法包括在低电压装置的元...
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