技术编号:7159409
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件。 背景技术在双极器件中,导通状态时流入基极层(或漂移层)的载流子在关断之后不立即削减,在二极管的情况下,流过逆向电流,在绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)或晶闸管的情况下,流过尾电流。这构成功耗(开关损耗)。发明内容本发明的实施方式提供一种降低开关损耗的半导体器件。根据实施方式,半导体器件具备基极层、第二导电型半导体层、第一绝缘膜与第一电极。所述第二导电型半导体层设...
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