技术编号:7159441
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种横向绝缘栅双极晶体管(下文称作IGBT),并且具体涉及一种形成在SOI (即绝缘体上硅)衬底上的横向IGBT。背景技术研发并且利用了单片逆变器IC芯片,其中在SOI (绝缘体上硅)衬底上构造诸如横向IGBT、横向二极管、模拟电路以及数字电路等集成部件。逆变器IC的性能主要由集成的横向IGBT和横向二极管决定。横向IGBT的重要的性能指标是低导通态电压以及高开关速度,并且横向二极管的重要性能指标也是低导通态电压以及高开关速度。具体而言,有必要使...
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