技术编号：7160484
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种介电堆栈。 背景技术非易失性存储器(Non-volatile memory,NVM)电路一直广泛用于编码及数据储存的应用。NVM电路的重要关键在于其效能，包括持久性(编程或写入/擦除周期的数目)、 在写入/擦除循环之后的数据保存以及擦除速度。在业界里，NVM技术的效能一直是最受广泛讨论的特征。通常，即使处在极端的周遭温度下，NVM电路应该可以耐受十万至一百万个程序周期以保存数据超过20年。一种NVM电路是为硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(S...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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