技术编号：7161083
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体设计及制造领域，更具体地说，本发明涉及一种存储器字线高度控制方法以及采用了该存储器字线高度控制方法的存储器制造方法。背景技术对于存储器(例如闪存)，字线及尖角(horn)的高度是至关重要的。图1示意性地示出了存储器结构中字线及尖角高度的示意图。如图1所示，栅极多晶硅1与字线WL之间布置有隔离区2，其中，字线WL —般也由多晶硅形成。图中，第一高度htl示意性地示出了字线WL的高度，第二高度ht2示意性地示出了尖角H的高度。为了增大字线WL及...
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