专利名称：存储器字线高度的控制方法
技术领域：
本发明涉及半导体设计及制造领域，更具体地说，本发明涉及一种存储器字线高度控制方法以及采用了该存储器字线高度控制方法的存储器制造方法。
背景技术：
对于存储器(例如闪存)，字线及尖角(horn)的高度是至关重要的。图1示意性地示出了存储器结构中字线及尖角高度的示意图。如图1所示，栅极多晶硅1与字线WL之间布置有隔离区2，其中，字线WL —般也由多晶硅形成。图中，第一高度htl示意性地示出了字线WL的高度，第二高度ht2示意性地示出了尖角H的高度。为了增大字线WL及尖角H的高度，在现有的存储器制造方法中，往往通过减少字线WL的多晶硅刻蚀步骤的刻蚀时间来使得字线WL及尖角H的高度得以提升。但是，现有技术的这种减少刻蚀时间的方法很有可能带来形成多晶硅残留物的问题，由此会进一步影响存储器器件的工作性能。因此，希望能够提出一种能够在不产生字线多晶硅残留的情况下提升字线以尖角的高度的方法。
发明内容
本发明的一个目的是针对现有技术的不足，提出一种能够在不产生字线多晶硅残留的情况下提升字线及其尖角的高度的控制方法以及采用了该存储器字线高度控制方法的存储器制造方法。根据本发明的第一方面，提供了一种存储器字线高度控制方法，其包括字线多晶硅涂覆步骤，用于在栅极多晶硅以及隔离区上布置字线多晶硅；氧化层生长步骤，用于在所述字线多晶硅上自然生长成氧化层，其中所述氧化层包括第二部分和第一部分，其中所述第二部分厚于所述第一部分，并且所述第二部分覆盖了所述栅极多晶硅、所述隔离区以及最终的字线区域；氧化层刻蚀步骤，用于对氧化层进行刻蚀；字线多晶硅刻蚀步骤，用于对字线多晶硅进行刻蚀。优选地，在所述存储器字线高度控制方法中，所述字线多晶硅刻蚀步骤使得所述栅极多晶硅以及所述隔离区暴露出来。优选地，在所述存储器字线高度控制方法中，所述氧化层刻蚀步骤刻蚀了部分字线多晶硅。优选地，在所述存储器字线高度控制方法中，在所述氧化层刻蚀步骤中，所述第二部分和所述第一部分的的材料是SiO2 (以不同区域的厚度不同而加以区别)，使得所述第一部分下方的字线多晶硅比所述所述第二部分下方的字线多晶硅更多得被刻蚀。或者，可选地，在所述氧化层刻蚀步骤中，所述第二部分和所述第一部分因为选择比的作用使得所述第一部分0X1下方的字线多晶硅被部分刻蚀，而所述第二部分0X2下方的字线多晶硅未被刻蚀。
优选地，在所述存储器字线高度控制方法中，在所述氧化层刻蚀步骤中，刻蚀多晶硅的速率要快于刻蚀所述氧化层的速度。优选地，在所述存储器字线高度控制方法中，所述字线多晶硅刻蚀步骤之后得到的字线高度可得到250A-600A的改善。通过采用根据本发明第一方面所述的存储器字线高度控制方法，本发明能够在不产生字线多晶硅残留的情况下提升字线及其尖角的高度。根据本发明的第二方面，提供了一种采用了根据本发明第一方面所述的存储器字线高度控制方法的存储器制造方法。由于采用了根据本发明第一方面所述的存储器字线高度控制方法，因此，本领域技术人员可以理解的是，根据本发明第二方面的存储器制造方法同样能够实现根据本发明第一方面所述的存储器字线高度控制方法所实现的技术效果。即，本发明能够在不产生字线多晶硅残留的情况下提升字线以尖角的高度。
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中图1示意性地示出了存储器结构中字线及尖角高度的示意图。图2示意性地示出了根据本发明实施例的存储器字线高度控制方法的氧化层生长步骤之后的结构示意图。图3示意性地示出了根据本发明实施例的存储器字线高度控制方法的氧化层刻蚀步骤之后的结构示意图。图4示意性地示出了根据本发明实施例的存储器字线高度控制方法的字线多晶硅刻蚀步骤之后的结构示意图。需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施例方式为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。根据本发明的一个具体实施例，存储器字线高度控制方法下述具体步骤字线多晶硅涂覆步骤，用于在栅极多晶硅1以及隔离区2上布置字线多晶硅P。氧化层涂覆步骤，用于在所述字线多晶硅上布置氧化层，其中所述氧化层包括第二部分0X2和第一部分0X1，其中所述第二部分0X2厚于所述第一部分0X1，并且所述第二部分0X2覆盖了所述栅极多晶硅1、所述隔离区2以及最终的字线区域(即，邻接隔离区2 的区域)。图2示意性地示出了根据本发明实施例的存储器字线高度控制方法的氧化层生长步骤之后的结构示意图。优选地，所述第二部分0X2和所述第一部分0X1的材料是二氧化硅Si02。氧化层刻蚀步骤，用于对氧化层(0X1，0X2)进行刻蚀以完全去除氧化层。优选地， 所述氧化层刻蚀步骤刻蚀了部分字线多晶硅。并且，优选地，在所述氧化层刻蚀步骤中，所述第二部分0X2和所述第一部分0X1 (对字线多晶硅的选择性不同)使得所述第一部分0X1 下方的字线多晶硅比所述所述第二部分0X2下方的字线多晶硅更多得被刻蚀。图3示意性地示出了根据本发明实施例的存储器字线高度控制方法的氧化层刻蚀步骤之后的结构示意图。如图3所示，在所述第二部分0X2和所述第一部分0X1采用了不同的材料的情况下， 所述第一部分0X1下方被刻蚀的区域如标号A所示，而所述第二部分0X2下方被刻蚀的区域如标号B所述，可以看出，所述第一部分0X1下方的字线多晶硅比所述所述第二部分0X2 下方的字线多晶硅更多得被刻蚀。更具体地说，在氧化层刻蚀步骤的时候，因为氧化层的第一部分0X1较薄，其先于第二部分0X2被完全刻蚀掉；此后，利用氧化层的第二部分0X2作为阻挡层，对第一部分 0X1底下的多晶硅(空白区，即space区)先进行刻蚀；此时，刻蚀的选择比(即，对于不同材质的蚀刻速率比)在这里起作用，即刻蚀多晶硅的速率要快于刻蚀氧化层(即第二部分 0X2，二氧化硅SiO2)的速度。当第二部分0X2被刻蚀掉的时候，第一部分0X1底下的多晶硅已经被刻蚀了 200A-300A的厚度。字线多晶硅刻蚀步骤，用于对字线多晶硅进行刻蚀。优选地，所述字线多晶硅刻蚀步骤使得所述栅极多晶硅以及所述隔离区暴露出来。图4示意性地示出了根据本发明实施例的存储器字线高度控制方法的字线多晶硅刻蚀步骤之后的结构示意图。并且，对照图2以及图4所示，为了最终形成如图4所示的字线结构WL，在图2所示字线多晶硅P中，除了最终刻蚀所形成的字线WL之外，所述字线多晶硅刻蚀步骤使得图 2中的字线多晶硅P的其它部分被完全刻蚀掉。优选地，在一个具体示例中，字线多晶硅刻蚀步骤可包括(或者说可分为)两个刻蚀阶段。在这种情况下，第一个刻蚀阶段使得所述第一部分下方的多晶硅被多刻蚀了 200A-300A ；图3示意性地示出了根据本发明实施例的存储器字线高度控制方法的字线多晶硅刻蚀步骤之后的第一刻蚀阶段得到的结构示意图。并且，在图3所示的结构之后继续刻蚀直到Space区的多晶硅被完全去除，如图4所示。更具体地说，图3是氧化层刻蚀后的示意图，接着是多晶硅刻蚀步骤，无论是第一部分0X1还是第二部分0X2底下的多晶硅，它们是同时进行的，并且以第一部分0X1底下的多晶硅刻蚀完毕为准，这时候到了图4，这时候整个过程已经完成，结构形成。优选地，在另一个具体实例中，所述字线多晶硅刻蚀步骤之后得到的字线高度可得到250A-600A的改善。通过采用上述存储器字线高度控制方法，本发明能够在不产生字线多晶硅残留的情况下提升字线WL及尖角H的高度。并且，由于氧化层刻蚀步骤已经刻蚀了部分字线多晶硅，所以降低了字线多晶硅刻蚀步骤中刻蚀字线多晶硅所需要的刻蚀时间。在本发明的另一实施例中，本发明还涉及一种采用了上述存储器字线高度控制方法的存储器制造方法。可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下， 都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
权利要求
1.一种存储器字线高度的控制方法，其特征在于包括字线多晶硅涂覆步骤，用于在栅极多晶硅以及隔离区上布置字线多晶硅；氧化层生长步骤，用于在所述字线多晶硅上自然生长成氧化层，其中所述氧化层包括第二部分和第一部分，其中所述第二部分厚于所述第一部分，并且所述第二部分覆盖了所述栅极多晶硅、所述隔离区以及最终的字线区域；氧化层刻蚀步骤，用于对氧化层进行刻蚀；字线多晶硅刻蚀步骤，用于对字线多晶硅进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的存储器字线高度的控制方法，其特征在于，所述字线多晶硅刻蚀步骤使得所述栅极多晶硅以及所述隔离区暴露出来。
3.根据权利要求1或2所述的存储器字线高度的控制方法，其特征在于，所述第二部分和所述第一部分的材料是二氧化硅。
4.根据权利要求3所述的存储器字线高度的控制方法，其特征在于，所述氧化层刻蚀步骤刻蚀了部分字线多晶硅。
5.根据权利要求4所述的存储器字线高度的控制方法，其特征在于，在所述氧化层刻蚀步骤中，所述第二部分和所述第一部分使得所述第一部分下方的字线多晶硅比所述所述第二部分下方的字线多晶硅更多得被刻蚀。
6.根据权利要求4所述的存储器字线高度的控制方法，其特征在于，在所述氧化层刻蚀步骤中，所述第二部分和所述第一部分因为选择比的作用使得所述第一部分下方的字线多晶硅被部分刻蚀，而所述第二部分下方的字线多晶硅未被刻蚀。
7.根据权利要求4或5所述的存储器字线高度的控制方法，其特征在于，在所述氧化层刻蚀步骤中，刻蚀多晶硅的速率要快于刻蚀所述氧化层的速度。
8.一种存储器制造方法，其特征在于采用了根据权利要求1至7之一所述存储器字线高度的控制方法。
全文摘要
本发明提供了一种存储器字线及其尖角的高度的控制方法。根据本发明的存储器字线高度控制方法包括字线多晶硅涂覆步骤，用于在栅极多晶硅以及隔离区上布置字线多晶硅；氧化层生长步骤，在所述字线多晶硅上自然生长成氧化层(通常为二氧化硅)，氧化层分为第一部分和第二部分，其中所述第二部分厚于所述第一部分，并且所述第二部分覆盖了所述栅极多晶硅、所述隔离区以及最终的字线区域；氧化层刻蚀步骤，用于对氧化层进行刻蚀；字线多晶硅刻蚀步骤，用于对字线多晶硅进行刻蚀。本发明能够在不产生字线多晶硅残留的情况下提升字线以尖角的高度。
文档编号H01L21/768GK102427057SQ201110299630
公开日2012年4月25日 申请日期2011年9月30日 优先权日2011年9月30日
发明者奚裴, 张振兴, 江红, 熊磊, 王百钱, 程江伟, 肖培, 黄莉, 齐龙茵 申请人:上海宏力半导体制造有限公司