技术编号:7161144
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,特别涉及。 背景技术由于功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率M0SFET)具有功率低、开关速度快等特点,功率金属氧化物半导体器件被广泛应用于电源的开关器件中。请参考图1,功率金属氧化物半导体器件的结构包括半导体衬底100 ;位于所述半导体衬底100表面的漏区101、位于所述漏区101表面的体区103和位于所述体区103表面的源区105 ;贯穿所述源区105和体区103并部分位于漏区101的沟槽;覆盖所述沟槽表面的栅绝缘层109 ;位...
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