技术编号：7161180
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于一种静电放电防护电路，特别是有关一种具有均匀导通多指状晶体管的设计的静电放电防护电路。背景技术 在骤回崩溃机制(snapback mechanism)下，N型金氧半晶体管(以下简称NMOS)是为一种有效的静电放电防护装置。当静电放电发生(ESDzapping)时，骤回崩溃机制会致使NMOS传导一个大静电放电电流(ESDcurrent)于其汲极与源极之间。为了承受足够高的静电放电电流以达到集成电路对静电放电的防护规格(人体放电模式2000V)，该...
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