技术编号:7161190
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术在功率半导体元件中,要求实现导通电阻的降低。为了与这些要求相对应,近年来,提出了三维的半导体元件,其不仅在半导体基板的表面而且在半导体基板的垂直方向形成沟道区域。在三维的半导体元件中,在与半导体基板的表面大致垂直的方向上分别延 伸设置源极区域、衬底(base)区域、漏极区域,并设有沟槽状的栅电扱。通过将半导体元件设定为上述的构造,沟道区域在与半导体基板的表面大致平行的方向上形成,并且,沟道区域也在与半导体基板的表面大致垂直的方向上形成。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。