技术编号:7161516
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于相变化存储装置,以及用于此种装置的材料。背景技术以相变化为基础的材料,例如以硫属化物为基础的材料或相似的材料,可以使用于集成电路中所提供适当大小的电流,来引发在非晶相与结晶相之间的相变化。非晶相通常的特征是具有比结晶相更高的电阻,其可以很容易地被感测以指示数据。此特性已引起广泛的注意,尤其是对于使用可编程电阻材料以形成非易失式存储器电路,其可利用随机存取方式来读取及写入。根据熟知为GST的相变化材料Ge2Sb2Te5使用于集成电路中已经有广泛的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。