技术编号：7161654
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及供用于数字相机及其它类型的图像捕捉装置中的图像传感器，具体涉及互补金属氧化物半导体(CM0Q图像传感器。更具体地，本发明涉及CMOS图像传感器中的光电二极管隔离及用于产生此隔离的方法。背景技术图像传感器使用通常配置成阵列的数千个至数百万个像素来捕捉图像。图1描绘根据现有技术的CMOS图像传感器中通常所使用的像素的俯视图。像素100包括响应于入射光而收集电荷的光侦测器(PD) 102。在读出光侦测器102的电荷的前，经由接点104将一适当信号施加至...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。