技术编号:7161944
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种浮体效应存储单元(Floating Body Cell,即FBC)的结构以及制作方法,属于半导体制备,尤其涉及一种高写入速度存储器单元及其制作方法。背景技术嵌入式动态存储技术的发展已经使得大容量DRAM在目前的系统级芯片(SOC)中非常普遍。大容量嵌入式动态存储器(eDRAM)给SOC带来了诸如改善带宽和降低功耗等只能通过采用嵌入技术来实现的各种好处。传统嵌入式动态存储器(eDRAM)的每个存储单元除了晶体管之外,还需要一个深沟槽电容器结构,...
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