技术编号:7162003
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别涉及一种半导体接触孔结构及其制作方法。背景技术随着半导体技术的发展,超大规模集成电路芯片的集成度已经高达几亿乃至几十亿个器件的规模,大规模集成电路的布线更为复杂,两层以上的多层金属互连技术广泛使用。因此,用来连接器件的接触孔或者层间连接的通孔是多层互连中非常关键的一种结构。 它们的好坏直接影响器件的特性以及产品的成品率。制作接触孔或通孔的关键步骤在于孔的刻蚀,就是在两层互连金属线或者电性掺杂区域与上层金属之间的层间膜内刻蚀出一系列通孔...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。