技术编号：7162338
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是一种在半导体元器件制作工艺中采用两次外延及锑埋层技术的工艺方法，属于半导体制作。背景技术随着集成电路技术的发展，对于功率放大类集成电路的技术要求越来越高，希望能在尽可能小的芯片上输出尽可能大的功率。为此，功放类集成电路的输出级设计就显的尤为关键。目前功放电路使用较多的输出级结构如图1所示，图中Tl，T2复合而成的PNP 型管与NPN型管T3构成互补形式输出。当输入信号为正半周时，T1，T2导通，Τ3截止，输出管饱和压降取决于Tl管饱和压降+Τ2管V...
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