技术编号:7162435
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及沟槽MOSFET器件,更确切的说是涉及带有集成肖特基二极管的自对准沟槽MOSFET器件的制备方法。背景技术当今的许多电路设计对于开关性能和导通状态电阻等器件性能参数方面,具有严格的要求。沟槽功率金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)器件常用于这种电路。现有的制备沟槽MOSFET的技术都非常复杂和昂贵,在制备时通常需要6个或更多个掩膜。图1表示传统的沟槽MOSFET器件100的剖面图。如图1所示,沟槽102形成在半导体晶圆104中,晶圆104...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。