制造半导体器件的方法技术资料下载

技术编号:7163029

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本发明涉及,特别地涉及一种利用双嵌段共聚物的自组装来实现对准的有源区接触孔的方法。背景技术随着半导体技术的发展,半导体器件的关键尺寸不断减小,如何获得尺寸更小的接触孔、如何使接触孔与有源区精确对准等问题逐渐成为人们关心的问题。在当前的半导体器件制造过程中,利用光致抗蚀剂的光刻和刻蚀形成用于有源区的接触孔。具体来说,在半导体衬底上形成了半导体器件的栅极和有源区之后,在其上沉积层间电介质层。利用化学机械抛光等方法使该层间电介质层平坦化。在平坦化后的层间电介质层...
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