技术编号：7163357
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及III-V族太阳电池，特别涉及。背景技术发展太阳能光伏发电已成为人类解决未来能源问题的重要途径，光伏发电经历了第一代晶硅电池和第二代薄膜电池，目前产业化进程正逐渐转向高效的聚光太阳能(CPV) 系统发电。与前两代电池相比，基于多结砷化镓(GaAs )太阳电池的CPV光伏技术由于采用了不同带隙的Pn结，可基本实现太阳光谱的全光谱吸收，因此以III-V族化合物为基系的单片式叠层太阳电池的光电转换效率高，而且所需的电池面积不大，以相对廉价的聚光器件替代...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。