技术编号:7163890
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种CMOS传感器及其制作方法,特别涉及一种正八边形霍尔盘结构的CMOS传感器及其制作方法。背景技术目前,CMOS霍尔效应传感器通常由一块简单的方形导体材料(即霍尔盘)制成, 比如说η阱电阻,在其周边留出至少四个端子,用于输出电流并引出磁场感应电压。其中霍尔盘偏置电流从其中两个位置相反的端子经过,另外两个端子的位置与电流端子的位置成垂直的方向,叫做电压端子。当有磁场垂直施加到导体表面时,可以在电压端子上检测到有电压输出,根据霍尔效应,称之为霍尔电...
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