技术编号：7164120
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地针对集成电路装置及其制造方法。一方面，本发明涉及用于集成电路及其它电路中的静电放电(ESD)保护的半导体装置的制造和使用。背景技术为了保护不受集成电路装置中的静电放电(ESD)情况的影响，ESD筘位电路通常被提供作为跨这样的集成电路装置的输入端子和/或其它端子的电压限制装置。用于设计 ESD筘位电路的传统方法包括在受保护的端子之间使用双极型晶体管和/或可控硅整流器电路(又称闸流晶体管电路)，受保护的端子在触发阈值电压Vt处接通，并且当跨受保护的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。