技术编号：7164443
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种。背景技术随着半导体技术的进步，元件的尺寸不断缩小，因此，为了防止相邻的元件之间发生短路的现象，元件与元件之间的隔离也愈显重要。目前常使用的隔离技术为浅沟渠隔离结构(Shallow Trench Isolation, STI)制程。传统浅沟渠隔离结构是在半导体基底中形成沟渠，再于此沟渠中填入氧化物以形成用以隔离元件的隔离层。然而，由于沟渠的深宽比(aspect ratio)越来越大，伴随的问题就是填入沟渠内的氧化物会有沟填不完全的现象。也...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。