技术编号:7164810
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。这里描述的实施例一般涉及场效应晶体管。背景技术常规上,诸如隧道场效应晶体管(以下也被称为TFET)的具有急剧亚阈斜率特性的场效应晶体管(FET)具有其中源扱/漏极区具有相互不同的导电类型(p+-i_n+)的非对称源极/漏极结构。在这种非対称源极/漏极结构中,源极区、沟道区和漏极区由通过离子注入形成的p-i-n结形成。源极结中的BTBT(带-带隧道,Band To Band Tunneling)确定了电流驱动能力。因此,为了改善驱动电流,隧道势垒需要通过在源...
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