技术编号:7164842
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子,涉及半导体材料制作工艺技术。具体的说是一种制造单轴应变GeOI (Germanium On hsulater,埋绝缘层上锗)晶圆的新方法,能显著增强 GeOI晶圆片的电子迁移率与空穴迁移率,提高GeOI器件与集成电路的电学性能和光学性能。背景技术半导体Ge的电子与空穴迁移率分别是Si的2. 8倍和4. 2倍,其空穴迁移率是所有半导体中最高的。与应变Si相似,应变Ge的载流子迁移率也有较大的提升,埋沟应变Ge 的空穴迁移率可提高6-8倍。因...
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