专利名称：基于机械弯曲台的单轴应变GeOI晶圆的制作方法
技术领域：
本发明属于微电子技术领域，涉及半导体材料制作工艺技术。具体的说是一种制造单轴应变GeOI (Germanium On hsulater，埋绝缘层上锗)晶圆的新方法，能显著增强 GeOI晶圆片的电子迁移率与空穴迁移率，提高GeOI器件与集成电路的电学性能和光学性能。
背景技术：
半导体Ge的电子与空穴迁移率分别是Si的2. 8倍和4. 2倍，其空穴迁移率是所有半导体中最高的。与应变Si相似，应变Ge的载流子迁移率也有较大的提升，埋沟应变Ge 的空穴迁移率可提高6-8倍。因此，Ge及应变Ge将是16纳米及以下工艺Si基CMOS器件与集成电路的最佳沟道材料。Ge还是极优异的光电材料，在探测器(可见光到近红外)、调制器、光波导、光发射器、太阳电池等有着极为广泛的应用。由于禁带宽度只有0. 67eV，Ge器件与电路的最大弱点是衬底的漏电较大。而GeOI 正是为解决衬底泄漏电流而开发的，目前已广泛应用于半导体器件与集成电路的制造。结合了应变Ge和GeOI优点的应变GeOI为研发新型的超高速、低功耗、抗辐射、高集成度硅基器件和芯片提供一种新的解决方案，在光电集成、系统级芯片等方面有着重要的应用前景。传统的应变GeOI是基于SOI晶圆的双轴压应变，即在SOI (SilicOn On Insulater,绝缘层上硅)晶圆上直接生长应变Ge，或先在SOI晶圆上生长Ge组分渐变的 SiGe层作虚衬底，再在该SiGe层上外延生长所需的应变Ge层。传统应变GeOI的主要缺点是位错密度高、只能是双轴压应变、迁移率提升不高、SiGe虚衬底增加了热开销和制作成本、SiGe虚衬底严重影响了器件与电路的散热、应变Ge层临界厚度受Ge组分限制、高场下的空穴迁移率提升会退化等。C. Himcinschi于2007年提出了单轴应变SOI晶圆的制作技术，参见[1] C. Himcinschi. , I. Radu, F. Muster, R. Si02gh, Μ. Reiche, Μ. Petzold, U. Go “ sele, S. H. Christiansen, Uniaxially strained silicon by wafer bonding and layer transfer, Solid-State electronics,51 (2007) 226-230 ； [2]C. Himcinschi, M. Reiche, R.Scholz,S. H. Christiansen,and U. Gosele,Compressive uniaxially strained silicon on insulator by prestrained wafer bonding and layer transferAPPLIeD, PHYSICS LeTTeRS 90,231909(2007)。该技术的工艺原理与步骤如图1和图2所示，其单轴张应变 GeOI的制作工艺步骤描述如下1.先将4英寸Si片1热氧化，再将该氧化片1注入H+(氢离子)。2.将注H+的氧化片1放在弧形弯曲台上，通过外压杆将其弯曲，与弧形台面紧密贴合；随后将3英寸Si片2沿相同弯曲方向放置在弯曲的4英寸注H+氧化片1上，通过内压杆将其弯曲，与注H+氧化片1紧密贴合；3.将弯曲台放置在退火炉中，在200°C下退火15小时。
4.从弯曲台上取下弯曲的并已键合的两个Si晶圆片，重新放入退火炉中，在 500°C下退火1小时，完成智能剥离，并最终形成单轴应变GeOI晶圆。该技术的主要缺点是1)工艺步骤复杂该方法必须经历热氧化、H+离子注入、剥离退火等必不可少的主要工艺及其相关步骤。2)弯曲温度受限由于是在智能剥离前进行键合与弯曲退火，受注H+剥离温度的限制，其弯曲退火温度不能高于300°C，否则将在弯曲退火过程中发生剥离，使Si片破碎。3)制作周期长额外的热氧化、H+离子注入、剥离退火等工艺步骤增加了其制作的时间。4)成品率低该方法是用两片重叠的硅晶圆片进行机械弯曲与键合，且又在弯曲状态下进行高温剥离，硅晶圆片很容易破碎。
发明内容
本发明的目的在于克服上述已有技术的不足，提出一种机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法，以降低应变GeOI晶圆的制作成本、提高应变GeOI器件与集成电路的散热性能、绝缘性能和集成度，满足微电子技术领域、特别是超高速、低功耗、抗辐照及大功率器件与集成电路对应变GeOI晶圆的需求。采用如下技术方案一种机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法，包括以下步骤1) GeOI晶圆顶层Ge 层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；幻两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘IcrnJ)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使GeOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至GeOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有GeOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火，退火温度在200°C至900°C范围内可任意选择。例如，可在200°C下退火10小时，也可在600°C下退火5小时；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有GeOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的GeOI晶圆回复原状。载有GeOI晶圆的弯曲台在退火炉中进行退火的温度最低为200°C，以保证GeOI晶圆中的SW2 埋绝缘层在此过程中的形变能够超过其屈服强度，发生塑性形变；最高退火温度为900°C， 接近Ge的熔点。但最高退火温度不得高于机械弯曲台的形变温度所述的的制作方法，所述的弧形弯曲台的曲率半径可从1. ail到0. 35m连续变化， 其对应制作不同应变量的单轴应变GeOI晶圆。所述的的制作方法，所述步骤4)的退火工艺为在200°C下退火10小时；或者在 400°C下退火5小时；或者在900°C下退火2. 2小时。所述的的制作方法，所述GeOI晶圆为3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸的GeOI晶圆。本发明的技术原理成品的GeOI片顶层Ge层面向上放置在圆弧形台面上进行机械弯曲，然后热退火。 根据材料弹塑性力学原理，受长时间弯曲形变热处理的作用，处于GeOI晶圆中性面上部的 Si02层和顶层Ge层将沿弯曲方向发生单轴拉伸形变，其晶格常数将变大，即发生所谓的单轴张应变。同时，在GeOI晶圆内部储存了一定的弹性势能。当退火结束去除机械外力后， 在此弹性势能作用下，GeOI晶圆会发生回弹，即由弯曲状态回复到原态，如图3所示。但复原的GeOI晶圆中顶层Ge层却保留了一定量的张应变。这是因为在弯曲热退火处理时，设定了合适的退火温度与时间，保证所施加的机械外力能超过SW2的屈服强度但小于Si衬底的屈服强度，使S^2发生塑性形变，而Si衬底始终是弹性形变。塑性形变的SiO2埋绝缘层在(ieOI晶圆回弹复原时不可能完全回弹，仍保持一定量的张应变。而顶层Ge层受塑性形变S^2埋绝缘层的拉持作用，也不能完全回弹，最终形成单轴张应变GeOI 晶圆。同理，若将GeOI晶圆顶层Ge层面向下放置在圆弧形台面上进行机械弯曲与热退火，由于顶层SiGe层处于GeOI晶圆中性面的下部，在弯曲退火时其晶格将被压缩，晶格常数变小，最终可得到单轴压应变GeOI晶圆。相对于现有单轴应变GeOI技术，本发明具有以下优点1)原料易得本发明采用成品GeOI晶圆，在市场上可随时成批购买，大大降低了工艺复杂性和设备成本。2)制作成本低由于制作工艺简单，设备投资少，因而制作成本低。3)制作工艺简单与现有相似的技术相比，没有热氧化、离子注入、高温剥离等额外的工艺，仅有机械弯曲与热退火两道工艺过程。4)工艺温度范围广相对现有相似技术的200°C到300°C退火温度范围，本发明的退火温度从最低的200°C到最高的900°C，可任意选择。5)成品率高现有技术采用两片Si晶圆进行键合弯曲退火，并在弯曲状态下通过高温剥离来获取单轴应变SOI晶圆，因而Si片非常容易破碎。而本发明仅用一片成品的 GeOI晶圆进行弯曲退火来获得单轴应变GeOI晶圆，不易破碎，因而成品率高。6)表面粗糙度小本发明无需通过剥离工艺制作应变GeOI，因而其顶层Ge薄膜单晶的表面粗糙度远小于与现有的相似技术。7)应变效果好与现有相似的技术相比，同样弯曲度下，本发明的应变量高，因而可获得更高的载流子迁移率。8)热性能好与传统基于SiGe虚衬底的应变GeOI晶圆片相比，本发明制作的单轴应变GeOI晶圆片无需的SiGe虚衬底，因而既可大大降低器件与电路的热开销，又有利于其器件与电路的散热。
图1为现有单轴张应变GeOI原理与工艺步骤；
图2为现有单轴压应变GeOI原理与工艺步骤；图3为本发明单轴张应变GeOI晶圆制作原理及工艺步骤；图4为本发明单轴压应变GeOI晶圆制作原理及工艺步骤；I-Si衬底，埋绝缘层，3-顶层Ge层。
具体实施例方式以下结合具体实施例，对本发明进行详细说明。实施例1 :3英寸单轴应变GeOI晶圆的制备UGeOI晶圆片选择3英寸(100)或(110)晶圆片((100)或(110)指的是GeOI 晶圆晶体表面的某个晶面)，Si衬底厚0. 4mm, SiO2埋绝缘层厚500nm，顶层Ge层厚500nm。GeOI晶圆直径选择=GeOI晶圆的直径越大，其弯曲的最小弯曲半径就越小，得到的单轴应变GeOI晶圆的应变量也就越大，最终单轴应变GeOI晶圆的电子迁移率和空穴迁移率的增强也就越高。对于本发明所制作的基于SiO2埋绝缘层的单轴应变GeOI晶圆而言， 根据其GeOI器件与电路的不同工艺，可选择从3英寸到8英寸的不同直径GeOI晶圆片。GeOI晶圆晶面与晶向选择对于本发明所制作的张应变GeOI晶圆而言，应选择 (100)晶面，弯曲方向应选择<110>晶向(<110>指的是晶圆片表面的某个晶向，通常也是器件的沟道方向)，可获得最大的电子迁移率提升。对于本发明所制作的压应变GeOI晶圆而言，应选择(110)晶面，弯曲方向应选择<100>晶向，可获得最大的空穴迁移率提升。GeOI晶圆Si衬底厚度选择Si衬底的厚度越薄，其GeOI晶圆的最小弯曲半径就小，得到的单轴张应变GeOI晶圆的应变量也就越大。对于本发明所制作的基于SiO2埋绝缘层的单轴应变GeOI晶圆而言，根据其GeOI器件与电路的不同结构及其工艺，可选择不同 Si衬底厚度的GeOI晶圆。GeOI晶圆顶层Ge层厚度选择根据其GeOI器件与电路的不同结构，可选择不同顶层Ge层厚度的GeOI晶圆片。若本发明所制作的基于SiO2埋绝缘层的应变GeOI晶圆应用于CMOS器件与电路，则要求顶层Ge厚度不能超过30nm ；若应用于光探测器，则要求顶层 Ge厚度不能低于700nm ；GeOI晶圆Si02埋绝缘层厚度选择根据GeOI器件与电路的不同结构，可选择不同Si02绝缘层厚度的GeOI晶圆片。若本发明所制作的基于SiOjI绝缘层的应变GeOI晶圆应用于CMOS器件与电路，则要求Si02绝缘层厚度不低于250nm ；若应用于光探测器，则要求Si02绝缘层厚度不超过200nm ；弯曲台材料选择弯曲台材料主要是根据退火温度来选择，要保证弯曲台在最高退火温度下不变形。对于本发明所采用的基于SiO2埋绝缘层的GeOI晶圆而言，其最高退火温度为900°C，因此弯曲台材料可采用耐高温的ZG35Crf6Nil2耐热钢材料。2、弯曲台曲率半径选择根据选择的GeOI晶圆片，选择弯曲台曲率半径为lm。弯曲台的曲率半径是根据GeOI晶圆片的直径和厚度来选择。相同GeOI晶圆片尺寸下，薄GeOI 晶圆片的最小弯曲半径比厚GeOI晶圆片的要小。相同厚度下，大尺寸GeOI晶圆的最小弯曲半径比小尺寸GeOI晶圆片的要小。对于本发明所制作的基于Si02埋绝缘层的张应变 GeOI晶圆而言，其4英寸GeOI晶圆的弯曲半径范围为0. 50m_l.加，其6英寸GeOI晶圆的弯曲半径范围为0. 45m-1. an，，其8英寸GeOI晶圆弯曲半径范围为0. 4m-1. &ι。3, GeOI晶圆片弯曲工艺步骤1)将GeOI晶圆片顶层Ge层面向上(或向下，向上为张应变，如图3，向下为压应变，如图4，下同)放置在弧形弯曲台上，其弯曲方向与<110>或<100>方向平行；2)弯曲台上的两根圆柱形水平压杆分别水平放置在(ieOI晶圆片两端，距离其边缘1厘米；3)旋动弯曲台上其中一个压杆的顶杆螺帽，使GeOI晶圆片一端先固定；4)再缓慢旋动另一个压杆的顶杆螺帽，使GeOI晶圆片沿弧形弯曲台台面逐渐弯曲，直至GeOI晶圆片完全与弧形弯曲台台面完全贴合。4、退火工艺步骤1)退火温度200°C ；2)升温速率5°C /分钟；3)退火时间10小时；
4)降温速率5°C /分钟；5、卸架待炉温降至室温，取出弯曲台。同时缓慢旋动弯曲台两端两个压杆的顶杆螺帽，使水平压杆同时缓慢提升，直至压杆完全脱离GeOI晶圆片。通过上述工艺步骤，可得到3英寸单轴应变GeOI晶圆片。实施例2 4英寸单轴应变GeOI晶圆的制备1、GeOI晶圆片选择4英寸(100)或(110)晶面，Si衬底厚0. 55mm, SiO2埋绝缘层厚300nm，顶层Ge层厚50nm。2、弯曲曲率半径选择根据选择的GeOI晶圆片，选择弯曲台曲率半径为0. 75m。3, GeOI晶圆片弯曲工艺步骤1)将GeOI晶圆片顶层Ge层面向上(或向下)放置在清洁的不锈钢弧形弯曲台上，其<110>或<100>方向与弯曲方向平行，如图3或图4所示；2)弯曲台上的两根圆柱形水平压杆分别水平放置在(ieOI晶圆片两端，距离其边缘1厘米；3)旋动弯曲台上其中一个压杆的顶杆螺帽，使GeOI晶圆片一端先固定；4)再缓慢旋动另一个压杆的顶杆螺帽，使GeOI晶圆片沿弧形弯曲台台面逐渐弯曲，直至GeOI晶圆片完全与弧形弯曲台台面完全贴合。4、退火工艺步骤1)退火温度400°C ；2)升温速率4°C /分钟；3)退火时间5小时；4)降温速率4°C /分钟；5、卸架待炉温降至室温，取出弯曲台。同时缓慢旋动弯曲台两端两个压杆的顶杆螺帽，使水平压杆同时缓慢提升，直至压杆完全脱离GeOI晶圆片。通过上述工艺步骤，可得到4英寸单轴应变GeOI晶圆片。实施例3 6英寸单轴应变GeOI晶圆的制备UGeOI晶圆片选择6英寸(100)或(110)晶面，Si衬底厚0. 68mm, Si02埋绝缘层厚lOOOnm，顶层Ge层厚lOOOnm。2、弯曲曲率半径选择根据选择的GeOI晶圆片，选择弯曲台曲率半径为0. 5m。3, GeOI晶圆片弯曲工艺步骤1)将GeOI晶圆片顶层Ge层面向上(或向下)放置在弧形弯曲台上，其弯曲方向与<110>或<100>方向平行，如图3或图4所示；2)弯曲台上的两根圆柱形水平压杆分别水平放置在(ieOI晶圆片两端，距离其边缘1厘米；3)旋动弯曲台上其中一个压杆的顶杆螺帽，使GeOI晶圆片一端先固定；4)再缓慢旋动另一个压杆的顶杆螺帽，使GeOI晶圆片沿弧形弯曲台台面逐渐弯曲，直至GeOI晶圆片完全与弧形弯曲台台面完全贴合。4、退火工艺步骤1)退火温度900°C ；2)升温速率:3V /分钟；
3)退火时间2. 2小时；4)降温速率3°C /分钟；5、卸架待炉温降至室温，取出弯曲台。同时缓慢旋动弯曲台两端两个压杆的顶杆螺帽，使水平压杆同时缓慢提升，直至压杆完全脱离GeOI晶圆片。通过上述工艺步骤，可得到6英寸单轴应变GeOI晶圆片。为了使本发明的叙述更清晰，以下将对诸多细节作出具体说明。例如具体结构、成分、材料、尺寸、工艺过程和技术。本发明所用弧形弯曲台采用ZG35Crf6Nil2耐热钢材料，这是为了保证弯曲台在最高退火温度下不变形。除此之外，本发明所用弯曲台也可采用其他易于机械加工、光洁度较高和耐高温的一切材质来制作。本发明应变GeOI晶圆底部半导体衬底1也可以是其他半导体材料，如Ge、GaAs等所有可能的半导体材料。本发明应变GeOI晶圆顶层半导体材料3不限于Ge半导体材料，也可是Si、SiGe、 GaAs等所有适合制作GeOI晶圆顶层半导体薄膜的半导体材料。任何工艺方法制作的GeOI晶圆片均适于本发明制作单轴应变GeOI晶圆，这些工艺方法包括智能剥离(Smart-cut)、注氧隔离(SIMOX)、键合与背腐蚀(BeGeOI)、层转移 (eLRANT)、基于GeOI晶圆的外延生长等。本发明弯曲退火温度和退火时间的选取原则是，保证GeOI晶圆结构中Si02薄膜在退火过程中发生塑性形变，但GeOI晶圆中的Si衬底在退火中只能发生弹性形变。因此， 根据SiO2薄膜的材料热力学特性，其最低退火温度不得低于200°C。根据GeOI晶圆顶层Ge 层的特性，最高退火温度可达900°C，接近Ge的熔点。但最高退火温度必须考虑弯曲台材料的热力学性能，不能高于其形变温度。本发明的详细说明和描述均基于优选试验方案，但本领域的技术人员会理解，上述和其他形式和细节的变化并不会偏离本发明的本质和范围。对于本领域的专业人员来说，在了解了本发明内容和原理后，能够在不背离本发明的原理和范围的情况下，根据本发明的方法进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些基于本发明的修正和改变仍在本发明的权利要求保护范围之内。应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换， 而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种基于机械弯曲台的单轴应变GeOI晶圆的制作方法，其特征在于，包括以下步骤l)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；幻两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘IcmJ)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使 GeOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至GeOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有GeOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火，退火温度在200°C至900°C范围内可任意选择；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有GeOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽， 将压杆缓慢提升，直至弯曲的GeOI晶圆回复原状。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的弯曲台的曲率半径可从 1.2m到0. 35m连续变化，其对应制作不同应变量的单轴应变GeOI晶圆；弯曲台材料采用 ZG35Cr26Ni耐热钢12材料。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤4)的退火工艺为在200°C 下退火10小时；或者在400°C下退火5小时；或者在900°C下退火2. 2小时。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述GeOI晶圆为3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸的GeOI晶圆。
全文摘要
本发明公开了一种基于机械弯曲台的单轴应变GeOI晶圆的制作方法，包括以下步骤1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使GeOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至GeOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有GeOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有GeOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的GeOI晶圆回复原状。本发明具有如下优点1)原料易得；2)制作成本低；3)制作工艺简单；4)工艺温度范围广；5)成品率高；6)表面粗糙度小；7)应变效果好；8)热性能好。
文档编号H01L21/762GK102403259SQ20111036151
公开日2012年4月4日 申请日期2011年11月16日 优先权日2011年11月16日
发明者宁静, 张鹤鸣, 戴显英, 文耀民, 查冬, 王琳, 董洁琼, 郝跃 申请人:西安电子科技大学