技术编号:7165565
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造其主表面为除了 C-面之外的面的第III族氮化物半导体发光器件的方法,所述方法实现光提取性能的改善而未导致结晶度劣化。背景技术专利文件1公开了通过在凹凸的蓝宝石衬底的凹陷或台面的侧表面上生长GaN晶体来制造其主表面为非极性面(例如,m-面或a-面)或半极性面(例如(11-22)面)的 GaN晶体层的方法。近来,已经积极地开发了其主表面为这种非极性或半极性面的第III族氮化物半导体发光器件,这是因为预期这种器件利用由小的内电场所引起的增加的电子...
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