专利名称：第iii族氮化物半导体发光器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及制造其主表面为除了 C-面之外的面的第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述方法实现光提取性能的改善而未导致结晶度劣化。
背景技术：
专利文件1公开了通过在凹凸的蓝宝石衬底的凹陷或台面的侧表面上生长GaN晶体来制造其主表面为非极性面(例如，m-面或a-面)或半极性面(例如(11-22)面)的 GaN晶体层的方法。近来，已经积极地开发了其主表面为这种非极性或半极性面的第III族氮化物半导体发光器件，这是因为预期这种器件利用由小的内电场所引起的增加的电子和空穴的复合来显示出旋善的内部量子效率。在这种凹凸的蓝宝石衬底中，从减小GaN晶体层晶体取向变化和改善结晶度的观点来看，期望地，凹陷或台面周期性地设置为从上面观察时为条纹图案，而非从上面观察时为点图案。专利文件1 日本专利申请公开(特开)2009-203151然而，当形成于蓝宝石衬底上的凹凸图案为条纹图案时，由于凹陷和台面均不沿条纹的方向提供，所以沿蓝宝石衬底上的条纹传播的光不被散射并且可无法提取到外部。同时，当蓝宝石衬底具有其中从上面观察时凹陷或台面周期性地设置为点图案的凹凸时，与条纹图案的情形相比，光提取性能可得到改善。然而，如上所述，晶体取向的变化可增加，导致结晶度差。
发明内容
鉴于以上所述，本发明的一个目的是提供制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，该第III族氮化物半导体发光器件包括具有条纹图案凹凸的衬底、以及形成于衬底上并包括其主表面为非极性面或半极性面的第III族氮化物半导体层的层状结构，所述方法实现光提取性能的改善而没有导致第III族氮化物半导体层结晶度的劣化。在本发明的第一方面中，提供通过在蓝宝石衬底的表面上形成条纹图案凹凸、以及通过在凹凸的凹陷或台面的侧表面上生长第III族氮化物半导体晶体以在衬底上形成层状结构来制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述层状结构包括其主表面为非极性面或半极性面的第III族氯化物半导体层，所述方法包括在蓝宝石衬底的表面上形成第一条纹图案凹凸，其包括从上面观察时设置为条纹图案并平行于第一方向对齐的多个第一凹槽，第一方向与蓝宝石衬底的主表面平行；在蓝宝石衬底的表面上的第一条纹图案凹凸的整个表面上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成条纹图案抗蚀剂掩模，使得条纹沿第二方向对齐，第二方向相对于第一方向倾斜特定角度；通过干蚀刻绝缘膜的未覆盖有抗蚀剂掩模的区域中的部分，并然后干蚀刻由此暴露的蓝宝石衬底的部分直至由此蚀刻的部分的下表面变平坦，形成第二条纹图案凹凸；和通过移除抗蚀剂掩模并经由MOCVD在通过形成第二条纹图案凹凸已暴露并垂直于蓝宝石衬底主表面的表面上生长第III族氮化物半导体晶体，使得晶体生长沿垂直于该暴露表面的方向进行，形成其主表面为非极性面或半极性面的第III族氮化物半导体层。如本文所用的，“第III族氮化物半导体”包括由式AlxGaJnzN(x+y+z = 1，0彡χ、 y、ζ彡1)表示的半导体；其中部分Al、( 或h被其它第13族元素(即B或Tl)替代、或部分N被其它第15族元素(即P、As、Sb或Bi)替代的这种半导体。第III族氮化物半导体的特定实例包括至少色含( 的那些，例如GaN、InGaN, AlGaN和AlfeJnN。通常，使用Si 作为η型杂质，使用Mg作为ρ型杂质。如本文所用的，“非极性面”或“半极性面”指的是提供C-面情况下10%以下内电场强度的面。非极性面的实例包括相对于C-面倾斜90°的面，例如m-面、a-面和(11- ) 面；半极性面的实例色括相对于C-面倾斜60°的面，例如(11-22)面、(20-21)面、(10-11) 面和(10-12)面。在形成第二条纹图案凹凸中，将蓝宝石衬底的暴露的部分干蚀刻直至由此蚀刻的部分的下表面变平坦。在此情况下，蚀刻的部分的下表面不必完全平坦，下表面的平坦度可为这种水平使得在第III族氮化物半导体层的后续形成中，晶体生长主要在垂直于蓝宝石衬底主表面的暴露表面上进行。当对蓝宝石衬底的台面进行干蚀刻时，随着蚀刻进行，台面的边缘变圆，台面的高度降低，产生缓坡。在第二条纹图案凹凸形成中，通过利用该现象使得蚀刻的部分的下表面变平坦。绝缘膜的材料可为例如SiO2、Si3N4, ZnO, TiO2或&02。从例如第四步中绝缘膜易于于蚀刻的观点看，绝缘膜的厚度优选为51 ~ IOOAe从改善光提取性能的观点看，第一方向和第二方向之间的角度优选为30° 150°，最优选90°。而且，从改善光提取性能的观点看，第一凹槽的各侧表面相对于蓝宝石衬底的主表面优选倾斜40° 80°。本发明的第二方面涉及根据本发明第一方面的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法的一个特定实施方案，其中第一方向与第二方向正交。本发明的第三方面涉及根据本发明第一或第二方面的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法的一个特定实施方案，其中第二凹槽的侧表面沿第二方向连续地形成。本发明的第四方面涉及根据本发明第一至第三方面中任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法的一个特定实施方案，其中非极性面为m-面、a-面或 (11-24)面，半极性面为(11-22)面、Q0-21)面、(10-11)面或(10-12)面。本发明的第五方面涉及根据本发明第一至第三方面中任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法的一个特定实施方案，其中蓝宝石衬底具有面主表面， 第一方向为蓝宝石衬底的C-轴方向。根据本发明制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，可改善光提取性能而未导致其主表面为非极性面或半极性面的第III族氮化物半导体层的结晶度的劣化。
由于结合附图考虑时，通过参考以下优选实施方案的详细描述，本发明的各种其它目的、特征和许多伴随的优势变得更好理解，所以可以容易地了解本发明。图1显示根据实施方案1的第III族氮化物半导体发光器件的结构；
图2A和2B显示在蓝宝石衬底10的上表面上形成的凹凸；图3A 3D为显示在蓝宝石衬底10的上表面上形成凹凸的过程的草图；和图4A 4C为显示制造根据实施方案1的第III族氮化物半导体发光器件的过程的草图。
具体实施例方式然后将参考附图描述本发明的一个特定实施方案。然而，本发明不限于所述实施方案。实施方案1图1显示根据实施方案1的第III族氮化物半导体发光器件的结构。根据实施方案1的第III族氮化物半导体发光器件包括具有a-面主表面的凹凸蓝宝石衬底10 ；以及在蓝宝石衬底10的凹凸表面上经由缓冲层(未示出)依次堆叠的基础层18、η-型层11、 发光层12和ρ-型层13，其均由其主表面为m-面的第III族氮化物半导体层形成。本发明的层状结构对应于包括η-型层11、发光层12和ρ-型层13的结构。移除部分发光层12和部分P-型层13，暴露出η-型层11的对应部分。在η-型层11的暴露的部分上形成η_电极14。在ρ-型层13的几乎整个上表面上形成ITO透明电极15，并在透明电极15上形成 P-电极16。根据实施方案1的第III族氮化物半导体发光器件为面上型。η-型层11、发光层12和ρ-型层13中的每个均可具有任何常规已知的结构。例如，η-型层11具有其中在蓝宝石衬底10上依次堆叠以高浓度掺杂有Si的GaN η-型接触层和GaN η-覆层的结构。例如，发光层12具有其中GaN势垒层和InGaN阱层交替堆叠的 MQff结构。例如，ρ-型层13具有其中在发光层12上依次堆叠掺杂有Mg的AWaN ρ-覆层和掺杂有Mg的GaN ρ-接触层的结构。图2Α是在蓝宝石衬底10的上表面上形成的凹凸的透视图，图2Β为蓝宝石衬底10 的上视图。如图2Α和2Β所示，在蓝宝石衬底10的上表面上形成第一条纹图案凹凸100，并形成第二条纹图案凹凸101以与第一条纹图案凹凸100正交。第一条纹图案凹凸100包括多个第一凹槽100a，其以固定间距设置并平行于特定的方向(即，图2中的χ-轴方向，对应于本发明的第一方向)。χ-轴方向对应于蓝宝石衬底10的C-轴方向。在第一凹槽IOOa的侧表面IOOaa处，暴露出蓝宝石衬底10的m_面表面，在第一凹槽IOOa的下表面IOOab处，暴露出蓝宝石衬底10的a_面表面。优选地，各第一凹槽IOOa的宽度Ll为0. Iym 20Bm，相邻第一凹槽IOOa之间的距离L2为0. 1 μ m 20 μ m。这是因为，当宽度Ll和距离L2落入上述范围内，可进一步改善光提取性能。更优选地，宽度Ll为0. 1 μ m 5 μ m，距离L2为0. 1 μ m 5 μ m。优选地，第一凹槽IOOa的各侧表面IOOaa和蓝宝石衬底10的主表面之间的角度θ 1为40° 80°。这是因为，当角度 θ 1落入上述范围内，可进一步改善光提取性能。更优选地，角度θ 1为50° 70°。优选地，各第一凹槽IOOa的深度Dl为0. Ιμπι 5μπι。这是因为，当深度Dl落入上述范围内， 可进一步改善光提取性能。更优选地，深度Dl为0. 5 μ m 5 μ m。第二条纹图案凹凸101包括多个第二凹槽101a，其以固定间距设置并平行于与 X-轴方向正交的方向(即，图2中的y-轴方向，对应于本发明的第二方向)。y_轴方向对应于蓝宝石衬底10的m-轴方向。第二凹槽IOla的下表面IOlab为平坦的，并且根据第一条纹图案凹凸100既不提供凹陷也不提供台面。即沿y_轴方向的第一条纹图案凹凸100 的凹陷和突出的图形未在第二凹槽IOla的下表面IOlab中反映出。优选第二凹槽IOla的侧表面IOlaa沿y-轴方向连续形成。各第二凹槽IOla在z_x面中具有矩形横截面。在第二凹槽IOla的侧表面IOlaa处，暴露出蓝宝石衬底10的c_面表面，在第二凹槽IOla的下表面IOlab处，暴露出蓝宝石衬底10的a-面表面。优选地，各第二凹槽IOla的宽度L3为 0. Ιμπι 20μπι，相邻第二凹槽IOla之间的距离L4为0. Iym 20μπι。这是因为，当宽度 L3和距离L4落入上述范围内，可进一步改善光提取性能。更优选地，宽度L3为0. 1 μ m 5 μ m，距离L4为0. 1 μ m 5 μ m。对各第二凹槽IOla的深度D2 ( S卩，测量从蓝宝石衬底10 的上表面至第二凹槽IOla的下表面IOlab的深度)没有特定限制，只要第二凹槽IOla的下表面IOlab平坦即可。然而，从归因于D2和Dl之间差异而改善光提取性能的观点看，各第二凹槽IOla的深度D2优选为各第一凹槽IOOa的深度Dl的0. 1倍 2倍。蓝宝石衬底10的上表面的一部分(不包括第二条纹图案凹凸101的凹槽IOla的侧表面IOlaa和下表面IOlab)覆盖有SiO2绝缘膜17。绝缘膜17的厚度为~ ΙΟΟΑ。 绝缘膜17可由Si3N4、ZnO, TiO2, ZrO2或类似材料来代替SW2形成。在根据实施方案1的第III族氮化物半导体发光器件中，如图2所示，设置在蓝宝石衬底10上的第一条纹图案凹凸100被第二条纹图案凹凸101所分开，其条纹方向沿y-轴方向，其与χ-轴方向(即，第一条纹图案凹凸的条纹方向)正交。因此，沿χ-轴方向传播的光可被反射和提取到外部。由此，与常规的仅包括第一条纹图案凹凸100的第III族氮化物半导体发光器件相比，根据实施方案1的第III族氮化物半导体发光器件显示出改善的光提取性能。此外，由于器件具有m-面主表面，所以根据实施方案1的第III族氮化物半导体发光器件显示出改善的内部量子效率。然后，将参考图3和4描述根据实施方案1的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法。现在将描述凹凸在蓝宝石衬底10上的形成。首先，如图3A所示，通过光刻和干蚀刻在具有a_面主表面的蓝宝石衬底10的上表面上形成第一条纹图案凹凸100，使得平行于 X-轴方向的第一凹槽IOOa以特定的间距周期性地设置。在第一凹槽IOOa的侧表面IOOaa 处，暴露出蓝宝石衬底的m-面表面，在第一凹槽IOOa的下表面IOOab处，暴露出蓝宝石衬底的a-面表面。随后，如:3B所示，通过气相沉积在提供于蓝宝石衬底10的上表面上的第一条纹图案凹凸100的整个表面上形成SiA绝缘膜17。绝缘膜17可通过溅射、CVD或类似的技术来代替气相沉积形成。然后，如图3C所示，通过光刻在提供于蓝宝石衬底10的上表面上的第一条纹图案凹凸100上形成条纹图案光掩模103，使得光掩模的开口以特定间距周期性地设置和平行于y_轴方向，其与χ-轴方向正交。然后，如图3D所示，通过干蚀刻将绝缘膜17的未覆盖有光掩模103的部分移除， 然后对蓝宝石衬底10的上表面的通过移除绝缘膜17已暴露的部分进行干蚀刻。当对蓝宝石衬底10的台面进行干蚀刻时，随着蚀刻进行，台面的边缘变圆，台面的高度逐渐降低，产生缓坡。因此，当蚀刻进行是够时间段时，可使得如此蚀刻的部分的下表面平坦。而且，可进行蚀刻，使得如此蚀刻的部分的深度大于第一凹槽IOOa的深度Dl。该蚀刻工艺形成第二条纹图案凹凸101，其中各自具有平坦的下表面的第二凹槽IOla以特定间距周期性地设置并平行于y-轴方向。在第二凹槽IOla的侧表面IOlaa处，暴露出蓝宝石衬底10的c_面表面，在第二凹槽IOla的下表面IOlab处，暴露出蓝宝石衬底10的a_面表面。随后，移除光掩模103。由此，形成图2中所示的具有凹凸的蓝宝石衬底10。然后，将描述由上述形成的其上具有凹凸的蓝宝石衬底10来制造根据实施方案1 的具有m-面主表面的第III族氮化物半导体发光器件。首先，通过磁控溅射在蓝宝石衬底10上形成AlN缓冲层(未示出)而未进行热清洗，其通常进行用于恢复蓝宝石衬底10由于蚀刻导致的损坏。该缓冲层可通过在氮源例如氨的供给下由预先形成的Al薄膜的氮化形成。或者，缓冲层可通过例如除了磁控溅射之外的溅射技术或MOCVD形成。缓冲层可由GaN、AlGaN、AlInN、AlGaInN或类似材料来代替AIN 形成。然而，从例如缓冲层和蓝宝石衬底之间晶格匹配的观点看，缓冲层的材料优选为具有高的Al组成比例的材料，并且最优选为A1N。随后，将其上具有缓冲层的蓝宝石衬底10置于MOCVD设备中并在含氢和氨的气氛中加热至后续工艺中使用的晶体生长温度。通过MOCVD经由上述形成的缓冲层在各第二凹槽IOla的侧表面IOlaa上生长GaN 晶体104。生长GaN晶体104使得蓝宝石衬底10的c_轴方向对应于GaN晶体的c_轴方向。MOCVD使用的原料气体等如下氨(NH3)作为氮源，三甲基镓(Ga(CH3)3)作为( 源，H2 或N2作为载气。在蓝宝石衬底10的上表面的覆盖有绝缘膜17的部分(即，不包括第二凹槽IOla 的侧表面IOlaa和下表面IOlab)上，不进行GaN晶体生长。因此，调节AlN缓冲层的厚度和GaN晶体104的生长温度，使得在各下表面IOlab上不生长GaN晶体104，并使得GaN晶体在各第二凹槽IOla的侧表面IOlaa上的生长主要沿C-轴方向进行。例如，GaN晶体沿 C-轴方向(即垂直于蓝宝石衬底的主表面的方向)外延生长时，可调节AlN缓冲层的厚度为小于通常形成于蓝宝石衬底和平坦的GaN晶体之间的AlN缓冲层的最小厚度，GaN晶体 104的生长温度可调节为低于GaN晶体通常沿C-轴方向(即，垂直于蓝宝石衬底主表面的方向)外延生长的温度。这种一般的AlN缓冲层通过溅射40秒形成，并具有150Λ ~ 200Α 的最小厚度。通常，当GaN晶体沿C-轴方向(即垂直于蓝宝石衬底的主表面的方向)外延生长时，生长温度高于IlOO0C。因此，当AlN缓冲层的厚度调节为150Λ以下和GaN的生长温度调节为1100°C以下时，可防止GaN晶体104在各下表面IOlab上的生长，并可允许GaN 晶体在各第二凹槽IOla的侧表面IOlaa上的生长主要沿c_轴方向进行。当GaN晶体104如上所述生长时，沿c_轴方向和-c_方向，即沿朝向各第二四槽 IOla的中心和与蓝宝石衬底10水平的方向，进行GaN晶体104的迅速生长，沿垂直于蓝宝石衬底10的方向进行GaN晶体104的逐渐生长(图4A)。随着晶体生长进一步进行，各第二凹槽IOla填充有GaN晶体104，通过其沿与蓝宝石衬底10水平的方向(即方向和 +C-方向)的生长利用GaN晶体逐渐覆盖蓝宝石衬底10的上表面。最后，在蓝宝石衬底10 上形成平坦的GaN晶体(基础层18)(图4B)。由于蓝宝石衬底10具有a_面主表面，以及各第二凹槽IOla的侧表面IOlaa为c_面，所以由GaN晶体形成的基础层18具有m_面主表面。这归因于例如GaN和蓝宝石之间的晶格常数差异。如上所述，基础层18由仅在第二凹槽IOla的侧表面IOlaa (即蓝宝石衬底的c_面表面)上生长的GaN晶体形成。因此，基础层18显示出减小的GaN晶体晶体取向变化和改善的GaN结晶度。随后，通过MOCVD在基础层18上依次沉积η-型层11、发光层12和ρ-型层13 (图 4C)。MOCVD使用的原料气体等如下氮源和( 源(与形成基础层18的情况下相同)，三甲基铟(In(CH3)3)作为In源，三甲基招(Al(CH3)3)作为Al源，硅烷(SiH4)作为n_型掺杂气体，环戊二烯基镁(Mg(C5H5)2)作为ρ-型掺杂气体，H2或N2作为载气。然后，通过干蚀刻移除ρ-型层13的一部分和发光层12的一部分，以由此暴露出 η-型层11的表面的对应部分。在ρ-型层13的几乎整个上表面上形成透明电极15 ；在 η-型层11的表面的由此暴露的部分上形成η-电极14 ；在透明电极15上形成ρ-电极16。 因此，制造图1中所示的根据实施方案1的第III族氮化物半导体发光器件。如上所述，为制造具有m面主表面的第III族氮化物半导体发光器件，使用其上具有凹凸的蓝宝石衬底10(如图3所示形成)，并且在凹凸的凹陷或台面的侧表面上生长 GaN。在蓝宝石衬底10中，通过第二条纹图案凹凸101将第一条纹图案凹凸100分开，并沿 χ-轴方向在这些凹凸之间提供水平上的差异。因此，沿χ-轴方向传播的光可被反射和提取到外部。蓝宝石衬底10的上表面的覆盖有绝缘膜17，并且仅暴露出第二凹槽IOla的侧表面IOlaa和下表面lOlab。由于所有侧表面IOlaa为蓝宝石衬底的c_面表面，所以当通过GaN的晶体生长在侧表面IOlaa上形成基础层18时，基础层18显示出均一的晶体取向和因此改善的晶体品质。在实施方案1中，本发明的方法用于制造具有m-面主表面的第1II族氮化物半导体发光器件。然而，本发明不限于此，而是可应用于具有特定的主表面的第III族氮化物半导体发光器件的制造。特别地，本发明适用于制造其主表面为例如a-面或(11-2 面、即提供C-面情况下内电场强度10%以下的面的第III族氮化物半导体发光器件。在实施方案1中，第一条纹图案凹凸100的条纹方向(即第一方向)与第二条纹图案凹凸101的条纹方向(即第二方向)正交。然而，考虑到待形成的第III族氮化物半导体层的主表面的晶体取向，即考虑到蓝宝石衬底的主表面的晶体取向和第二凹槽IOla的侧表面IOlaa的晶体取向，可造合地确定第一和第二方向之间的角度。从改善光提取性能的观点看，第一方向和第二方向之间的角度优选为30° 150°。根据实施方案1的第III族氮化物半导体发光器件为面上型。然而，本发明不限于此，而是可应用于倒装芯片类型。本发明的第III族氮化物半导体发光器件可用于例如照明设备。
权利要求
1.一种通过在蓝宝石衬底的表面上形成条纹图案凹凸、以及通过在所述凹凸的凹陷或台面的侧表面上生长第III族氮化物半导体晶体以在所述衬底上形成层状结构来制造第 III族氮化物半导体发光器件的方法，所述层状结构包括其主表面为非极性面或半极性面的第III族氮化物半导体层，所述方法包括在蓝宝石衬底的表面上形成第一条纹图案凹凸，其包括从上面观察时设置为条纹图案并平行于第一方向对齐的多个第一凹槽，所述第一方向与所述蓝宝石衬底的主表面平行；在所述蓝宝石衬底的所述表面上的所述第一条纹图案凹凸的整个表面上形成绝缘膜；在所述绝缘膜上形成条纹图案抗蚀剂掩模，使得所述条纹沿第二方向对齐，所述第二方向相对于所述第一方向倾斜特定角度；通过干蚀刻所述绝缘膜的未覆盖有所述抗蚀剂掩模的区域中的部分形成第二条纹图案凹凸，并然后干蚀刻所述蓝宝石衬底的由此暴露的部分直至由此蚀刻的部分的下表面变得平坦；以及通过移除所述抗蚀剂掩模和通过MOCVD在通过形成所述第二条图案凹凸已暴露并垂直于所述蓝宝石衬底的所述主表面的表面上生长第III族氮化物半导体晶体，使得晶体生长沿垂直于所述暴露的表面的方向进行，形成其主表面为非极性面或半极性面的第 III族氮化物半导体层。
2.根据权利要求1所述的制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述第一方向与所述第二方向正交。
3.根据权利要求1所述的制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述第二凹槽的侧表面沿所述第二方向连续地形成。
4.根据权利要求2所述的制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述第二凹槽的侧表面沿所述第二方向连续地形成。
5.根据权利要求1所述的制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述非极性面为m-面、a-面或(11-24)面，所述半极性面为(11_22)面、Q0-21)面、(10-11)面或 (10-12)面。
6.根据权利要求2所述的制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述非极性面为m-面、a-面或(11-24)面，所述半极性面为(11-22)面、(20-21)面、(100-11)面或 (10-12)面。
7.根据权利要求3所述的制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述非极性面为m-面、a-面或(11-24)面，所述半极性面为(11_22)面、Q0-21)面、(10-11)面或 (10-12)面。
8.根据权利要求4所述的制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述非极性面为m-面、a-面或(11-24)面，所述半极性面为(11_22)面、Q0-21)面、(10-11)面或 (10-12)面。
9.根据权利要求1 8中任一项所述的制造第III族氮化物半导体发光器件的方法， 其中所述蓝宝石衬底具有面主表面，所述第一方向为所述蓝宝石衬底的C-轴方向。
全文摘要
本发明提供制造包括其主表面为非极性面的第III族氮化物半导体层的第III族氮化物半导体发光器件的方法，该方法实现光提取性能改善而未引起第III族氮化物半导体层结晶度劣化。在该制造方法中，在蓝宝石衬底上表面上形成第一条纹图案凹凸，使得以特定间距周期性设置平行于x-轴方向(蓝宝石衬底c-轴方向)的第一凹槽。然后在蓝宝石衬底上表面上的第一条纹图案凹凸的整个表面上形成绝缘膜。然后形成第二条纹图案凹凸，使得以特定间距周期性设置并平行于与x-轴方向正交的y-轴方向的各自具有平坦下表面的第二凹槽。通过MOCVD在蓝宝石衬底各第二凹槽侧表面上生长GaN晶体，以在蓝宝石衬底上形成m-面GaN基础层。在基础层上形成LED器件结构，以制造发光器件。
文档编号H01L33/22GK102479900SQ20111037554
公开日2012年5月30日 申请日期2011年11月23日 优先权日2010年11月25日
发明者奥野浩司 申请人:丰田合成株式会社