技术编号:7165638
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及。背景技术随着半导体技术的持续发展,器件的关键尺寸不断降低。在此趋势下,提出了鳍片式半导体器件,诸如鳍片式晶体管(FinFET)。现今,鳍片式半导体器件广泛用在存储器和逻辑器件领域中。而随着鳍片式半导体器件技术的不断发展,工艺过程越来越复杂。因此,结型场效应器件(例如,JFET)日渐成为对于MOSFET的替代选择,因为其制备工艺相对MOSFET简单。因此,存在对鳍片式结型场效应器件及其制造方法的需求。针对此,发明人提出了新颖的富有...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。