技术编号:7166203
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及到一种沟槽MOS结构半导体装置,并将超结结构引入到半导体装置中,本发明的沟槽MOS结构半导体装置是超级势垒整流器、功率MOSFET和瞬态电压抑制器件(TVS)基础结构,本发明还涉及沟槽MOS结构半导体装置的制造工艺。背景技术具有沟槽结构和超结结构的半导体器件,已成为器件发展的重要趋势。对于功率半导体器件,不断降低导通电阻和不断提高电流密度的要求成为器件发展的重要趋势。传统沟槽MOS器件在沟槽内壁生长有栅氧,沟槽内填充有多晶硅,沟槽边侧半导体材...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。