技术编号：7166294
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造半导体器件的方法，更具体涉及形成高度集成的半导体器件的阱的方法。背景技术 半导体器件的阱用来传送体电压到实际工作的金属氧化物半导体(MOS)器件和消除由于碰撞电离形成的载流子。为了让阱执行这些功能，应该通过在阱离子注入工序过程中注入大量杂质保持低电阻。具体，低阱电阻在如闭锁这种问题的测试可靠性中起着重要作用。因此，使用高能离子注入形成深阱，以便保持低电阻。但是，高能离子注入导致相邻阱之间的余量减小。另一方面，当半导体器件变得高度集成时，栅极长...
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