技术编号:7166405
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅中间带材料制备,尤其涉及,具体是一种采用纳秒、皮秒及飞秒激光对蒸镀有钛薄膜表层的硅材料进行辐照,在硅材料表层实现超过Mott相变钛元素掺杂浓度的硅中间带材料制备方法。背景技术利用深能级在禁带中的位置离价带和导带都比较远,高浓度掺杂深能级杂质的材料禁带变窄效应不显著,高浓度深能级中心波函数相互交叠,载流子可以在深能级允态之间做共有化运动,在禁带中形成杂质能带。普遍认为只有掺杂激活浓度超过Mott极限间隙带才能形成,这只是针对平衡掺杂方法制备的材料...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。