技术编号：7167440
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件，尤其是涉及一种具有有源势垒结构的半导体器件。 背景技术在用于汽车、电动机驱动、音频放大器等的产品中存在如下情况通过布线等的 L(自感)负载产生逆电动势，输出晶体管的漏极(η型区)变为负电位。在这种情况下，存在如下问题根据该负电位，电子从漏极被注入到P型区，通过该P型基板从输出晶体管的形成区域向其它元件的形成区域移动，由此其它元件错误地进行动作。这样，为了抑制注入到ρ型基板的电子对周围的元件带来影响，例如研究出日本特开2009-17...
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