技术编号：7167511
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及。背景技术为了提高集成电路芯片的性能和集成度，器件特征尺寸按照摩尔定律不断缩小，目前已经进入纳米尺度。随着器件体积的缩小，功耗与漏电流成为最关注的问题。绝缘体上娃SOI (Silicon on Insulator)是集成电路进入深亚微米和纳米级后能突破娃材料和娃基集成电路限制的新型集成电路技术。SOI器件有源区位于绝缘层上的硅膜内，完整的介质隔离可以避免体硅器件中存在的大部分寄生效应，因而SOI器件与体硅相比具有亚阈值斜率...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。