技术编号：7167654
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于ー种三维存储器装置，以及制造三维存储器装置的方法。背景技术在高密度存储器装置的制造中，每ー单位区域可存放的数据量是一关键性因素。 因此，由于存储器装置的此关键尺寸接近技术上的限制，为了达到每位有更佳的储存密度与较低的成本，堆栈存储器单元的多重阶层的技术已被提出。举例来说，ー种具有反熔丝ニ极管存储器单元的三维堆栈存储器装置，被描述于 Johnson 等人在 IEEE J. of Solid-State Circuits, vol. 38, no...
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