技术编号:7167801
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件,本发明还涉及该BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件的制造方法。背景技术在射频应用中,需要越来越高的器件特征频率。在BiCMOS工艺技术中,NPN三极管,特别是锗硅异质结三极管(SiGe)或者锗硅碳异质结三极管(SiGeC HBT)则是超高频器件的很好选择。并且SiGe工艺基本与硅工艺相兼容,因此SiGe HBT已经成为超高频器件的主流之一。在这种背景下,其对输出器...
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