技术编号：7167980
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种。背景技术半导体器件尺寸的不断缩小是推动集成电路制造技术改进的主要因素。由于调整栅氧化物层的厚度和源/漏极的结深度的限制，很难将常规的平面MOSFET器件缩小至32nm以下的工艺，因此，已经开发出多栅极场效应晶体管(Mult1-Gate M0SFET)。多栅极场效应晶体管是一种将多个栅极并入到单个器件的M0SFET，这意味着，沟道在多个表面上被多个栅极包围，因此能够更好地抑制“截止”状态的漏电流。此外，多栅极场效应晶体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。