技术编号:7168196
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的示例性实施例总体而言涉及一种,更具体而言涉及一种利用不同宽度的图案形成半导体器件的方法。背景技术形成在诸如快闪存储器件的半导体器件中的图案可以具有不同的尺寸。在快闪存储器件的情况下,可以在快闪存储器件的存储器单元阵列区中形成多个存储器单元串。每个存储器单元串包括源极选择晶体管、漏极选择晶体管和串联耦接在源极选择晶体管与漏极选择晶体管之间的多个存储器单元。这里,源极选择晶体管的栅极与源极选择线耦接,漏极选择晶体管的栅极与漏极选择线耦接,且每个存储器单...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。