技术编号:7168548
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种绝缘栅场效应晶体管和以此构成的集成电路,并且更特别地,涉及一种把半导体薄膜,例如SOI(Semiconductor On Insulator绝缘体基半导体)或者SON(Semiconductor On Nothing无基半导体)应用于沟道形成区的技术。在某些例子中半导体薄膜形成在绝缘衬底(SOI)上,在某些其它例子中半导体薄膜通过衬底被悬或保持在两端处于空洞状态(SON),并且在另一些例子中半导体薄膜具有以一末端连接到衬底的凸出部分。如果晶体...
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