技术编号:7168589
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术,特别涉及一种。背景技术目前,在 CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,互补金属氧化物半导体)制造技术中,e-SiGe (embedded SiGe,嵌入娃锗)在沟道区域中加入压应力(compressive stress)使得 PMOS(P-Metal-Oxide-Semiconductor, P 型金属氧化物半导体)的性能得到明显改善的技术已经被广泛应用。当前,对于e-SiGe...
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