技术编号:7169045
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种带选择性浅槽通孔的LDMOS的结构及其制备方法。背景技术横向双扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal OxideSemiconductor, LDMOS)器件,由于与CMOS工艺的良好兼容性,目前已被广泛应用于CDMA等移动通讯领域。典型的LDMOS器件的结构如图1所示,该LDMOS中寄生有一个由漏极-体区-阱组成双极型晶体管(BJT),一旦寄生的BJT起作用,LDMOS的反向...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。